半导体生产对超纯水水质要求极为严苛，具体如下：
1.电阻率：电阻率是衡量水中离子含量的关键指标。在半导体生产中，超纯水的电阻率通常需达到18.2MΩ・cm，这意味着水中几乎不存在能导电的离子，能有效避免因离子引发的电路短路、信号干扰等问题，确保芯片的电气性能稳定。例如在集成电路制造中，细微的离子杂质可能导致芯片内部电路出现漏电现象，影响芯片正常运行，高电阻率的超纯水可极大降低此类风险。
2.微生物含量：微生物的存在可能释放有机物质、产生热源，对半导体芯片造成污染。半导体生产要求超纯水中的微生物含量极低，一般每毫升水中细菌和真菌的数量不超过1CFU（菌落形成单位）。在芯片制造的光刻、蚀刻等关键工艺中，哪怕极少量微生物附着在硅片表面，都可能干扰工艺精度，导致芯片出现缺陷，因此严格控制微生物含量至关重要。
3.颗粒物质：超纯水中不允许含有可见颗粒杂质，且对微小颗粒数量严格限定。通常每升水中大于0.22μm 的颗粒数应少于1个。在硅片清洗、芯片封装等环节，颗粒物质可能划伤硅片表面，或在芯片内部形成异物，影响芯片的性能和可靠性。例如在芯片封装过程中，若有颗粒杂质混入，可能破坏封装的密封性，使芯片易受外界环境影响而损坏。
4.金属离子含量：几乎所有金属离子都被严格限制，如钠、钾、铁、铜等。这些金属离子即使微量存在，也可能在半导体材料中引入杂质能级，改变半导体的电学性能。例如，铜离子可能扩散进入硅晶体，形成缺陷，影响载流子的传输，进而降低芯片的性能。所以超纯水中金属离子的浓度通常要达到ppt（10⁻¹²）级别。
5.有机物含量：有机物会在硅片表面形成薄膜，干扰光刻胶的粘附和显影效果，影响芯片图案的精度。超纯水中的总有机碳（TOC）含量需极低，一般应小于5ppb（10⁻⁹）。在光刻工艺中，若超纯水中含有机物，可能导致光刻胶显影不均匀，使芯片电路图案出现偏差，严重影响芯片的功能和成品率 。
1.电阻率：电阻率是衡量水中离子含量的关键指标。在半导体生产中，超纯水的电阻率通常需达到18.2MΩ・cm，这意味着水中几乎不存在能导电的离子，能有效避免因离子引发的电路短路、信号干扰等问题，确保芯片的电气性能稳定。例如在集成电路制造中，细微的离子杂质可能导致芯片内部电路出现漏电现象，影响芯片正常运行，高电阻率的超纯水可极大降低此类风险。
2.微生物含量：微生物的存在可能释放有机物质、产生热源，对半导体芯片造成污染。半导体生产要求超纯水中的微生物含量极低，一般每毫升水中细菌和真菌的数量不超过1CFU（菌落形成单位）。在芯片制造的光刻、蚀刻等关键工艺中，哪怕极少量微生物附着在硅片表面，都可能干扰工艺精度，导致芯片出现缺陷，因此严格控制微生物含量至关重要。
3.颗粒物质：超纯水中不允许含有可见颗粒杂质，且对微小颗粒数量严格限定。通常每升水中大于0.22μm 的颗粒数应少于1个。在硅片清洗、芯片封装等环节，颗粒物质可能划伤硅片表面，或在芯片内部形成异物，影响芯片的性能和可靠性。例如在芯片封装过程中，若有颗粒杂质混入，可能破坏封装的密封性，使芯片易受外界环境影响而损坏。
4.金属离子含量：几乎所有金属离子都被严格限制，如钠、钾、铁、铜等。这些金属离子即使微量存在，也可能在半导体材料中引入杂质能级，改变半导体的电学性能。例如，铜离子可能扩散进入硅晶体，形成缺陷，影响载流子的传输，进而降低芯片的性能。所以超纯水中金属离子的浓度通常要达到ppt（10⁻¹²）级别。
5.有机物含量：有机物会在硅片表面形成薄膜，干扰光刻胶的粘附和显影效果，影响芯片图案的精度。超纯水中的总有机碳（TOC）含量需极低，一般应小于5ppb（10⁻⁹）。在光刻工艺中，若超纯水中含有机物，可能导致光刻胶显影不均匀，使芯片电路图案出现偏差，严重影响芯片的功能和成品率 。